Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/686074341 |
Дата корректировки | 16:18:21 27 сентября 2021 г. |
Стандартный номер | 10.21883/FTP.2017.09.44878.8510 |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Прокофьева, Л. В. | |
Температурная зависимость атомной структуры и электрической активности дефектов в термоэлектрике ZnSb, слабо легированном медью Электронный ресурс |
|
Temperature dependences of the atomic structure and electrical activity of defects in thermoelectric ZnSb weakly doped with Cu | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
Аннотация | Решается задача выбора модели для описания температурной зависимости микроструктуры дефектов в эффективном термоэлектрике ZnSb c 0.1 ат%Cu. Анализируются температурные зависимости концентрации и подвижности для термоцикла 300-700-300K (термоцикл I) с учетом особенностей кристаллической структуры и ковалентного характера химической связи в ZnSb. Базовой дефектной структурой (температуры T = 560-605K) является состояние, когда все атомы Cu поровну распределены между узлами обеих подрешеток, являясь акцепторами, собственных дефектов акцепторного и донорного типа значительно меньше. Их действие становится заметным, когда температура выходит за рамки вышеупомянутого диапазона. При T > 605K появляются дополнительные акцепторы - антиструктурный цинк Zn[Sb]; при охлаждении ниже 560K образуются димеры Cu[2], электрическая активность примеси понижается. Распад димеров при нагревании вызывает увеличение концентрации с температурой вплоть до насыщения в указанном выше диапазоне. Были проведены дополнительные термоциклы II-VIII, обнаруженные изменения в температурных зависимостях концентрации дырок и подвижности обсуждаются в рамках упомянутой модели. |
Ключевые слова | температурные зависимости |
атомная структура электрическая активность дефектов термоэлектрика ZnSb термоциклирование медь холловская концентрация дырок |
|
Насрединов, Ф. С. Константинов, П. П. Шабалдин, А. А. |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 9. - С. 1168-1175 |
|
Имя макрообъекта | Прокофьева_температурная |
Тип документа | b |