| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/685712274 |
| Дата корректировки | 11:51:33 23 сентября 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2018.10.46537.095 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Тумаркин, А. В. | |
|
Начальные стадии роста пленок цирконата-титаната бария и станната-титаната бария на монокристаллических подложках сапфира и карбида кремния Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 27 назв. |
| Аннотация | Впервые исследованы начальные стадии роста сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната бария и станната-титаната бария на подложках монокристаллического сапфира и карбида кремния. Выбор подложек обусловлен возможностью применения данных структур в сверхвысокочастотных устройствах. Показано, что рост островковых пленок BaZr[x]Ti[1-x]O[3] происходит посредством механизма массопереноса частиц через газовую фазу во всем исследуемом температурном диапазоне. При конденсации BaSn[x]Ti[1-x]O[3] пленок в температурной области ~ 800°C происходит смена механизма массопереноса с поверхностной диффузии на диффузию через газовую фазу, кроме того наблюдается существенная разница в компонентном составе пленок на сапфире и карбиде кремния. Отмечено, что при росте оксидных пленок на поверхности подложки карбида кремния образуется промежуточный слой SiO[2], толщина которого зависит от температуры осаждения. |
| Ключевые слова | пленки |
|
сегнетоэлектрические пленки цирконат-титанат бария станнат-титанат бария монокристаллические подложки подложки сапфира подложки карбида кремния |
|
| Другие авторы | Злыгостов, М. В. |
|
Серенков, И. Т. Сахаров, В. И. Афросимов, В. В. Одинец, А. А. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 60, вып. 10. - С. 2045-2050 |
| Имя макрообъекта | Тумаркин_начальные |
| Тип документа | b |
