| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/685707456 |
| Дата корректировки | 10:45:02 23 сентября 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2018.10.46534.107 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Китаев, Ю. Э. | |
|
Новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC: ab initio расчеты, симметрийный анализ и рамановские спектры Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Исследована новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC, существование которой было ранее теоретически предсказано путем симметрийного анализа. Показано, что фаза может образовываться в процессе роста пленок SiC методом замещения атомов на поверхности подложки Si. Проведены ab initio расчеты кристаллической структуры новой фазы и ее рамановских спектров методом квантовой химии. Установлено отличие правил отбора раман-активных колебаний для этой ромбоэдрической фазы от правил отбора кубической фазы в системе координат, совмещенной с векторами трансляций ромбоэдрической фазы. Синтезированы серии по времени отжига тонких пленок SiC/Si методом топохимического замещения атомов, и проанализированы их рамановские спектры. В рамановских спектрах образцов на начальном этапе роста пленки SiC обнаружено присутствие спектральной линии (258 cm{-1}), которая близка к расчитанной ab initio методом линии новой тригональной (ромбоэдрической) фазы, что косвенно подтверждает ее наличие. |
| Ключевые слова | пленки |
|
карбид кремния тригональная фаза ромбоэдрическая фаза кристаллическая структура ab initio расчеты симметрийный анализ рамановские спектры |
|
| Другие авторы | Кукушкин, С. А. |
|
Осипов, А. В. Редьков, А. В. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 60, вып. 10. - С. 2022-2027 |
| Имя макрообъекта | Китаев_новая |
| Тип документа | b |
