| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/684863812 |
| Дата корректировки | 16:12:36 13 сентября 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2018.07.46131.016 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Котоусова, И. С. | |
|
Электронно-дифракционное изучение структуры эпитаксиального графена, выращенного методом термодеструкции 6H- и 4H-SiC (0001) в вакууме Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) проведено исследование структуры графеновых слоев, образованных на поверхности Si-грани проводящих и полуизолирующих подложек карбида кремния 6H- и 4H-SiC(0001) путем термодесорбции атомов Si в высоком вакууме, в зависимости от температуры и времени сублимации атомов Si и способа предобработки поверхности подложек. Регистрация дифракционных картин осуществлялась в кристаллографических направлениях подложек [1210] и [1100]. Установлено, что во всех проведенных экспериментах образование графеновых слоев происходит с разворотом кристаллической решетки графена на 30° относительно решетки SiC. |
| Ключевые слова | графен |
|
эпитаксиальный графен пленки графена карбид кремния подложки карбида кремния термодесорбция атомов кремния электронно-дифракционное изучение |
|
| Другие авторы | Лебедев, С. П. |
|
Лебедев, А. А. Булат, П. В. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 60, вып. 7. - С. 1403-1408 |
| Имя макрообъекта | Котоусова_электронно-дифракционное |
| Тип документа | b |
