| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/684351255 |
| Дата корректировки | 17:34:15 7 сентября 2021 г. |
| 10.21883/OS.2020.09.49863.97-20 | |
| Служба первич. каталог. | Феллер |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 535.33 |
| Болдырев, К. Н. | |
|
Новые линии в спектрах ИК люминесценции высокого разрешения монокристаллов SiC политипов 4H и 6H Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 25 назв. |
| Аннотация | Проведено исследование низкотемпературных спектров ИК люминесценции и поглощения высокого разрешения нелегированных высококачественных монокристаллов SiC гексагональных модификаций 4H и 6H. Обнаружены узкие линии, имеющие ширины менее 0.2 cm{-1}, часть из которых наблюдалась впервые. Найдено, что часть линий в модификации 4H и 6H имеют схожую структуру, однако линии в SiC-4H смещены в высокоэнергетичную часть спектра на ~ 180 cm{-1}. Для наиболее интенсивного квартета в области 1.3 m по спектрам люминесценции и поглощения удалось построить энергетическую структуру уровней как для модификации 4H, так и для 6H. |
|
карбид кремния SiC люминесценция высокое разрешение центры окраски монокристаллы |
|
|
Гуценко, Д. Д. Климин, С. А. Новикова, Н. Н. Маврин, Б. Н. Маякова, М. Н. Хныков, В. М. |
|
|
Оптика и спектроскопия 2020 Т. 128, вып. 9. - С. 1264-1268 |
|
| Имя макрообъекта | Болдырев_новые линии |
| Тип документа | b |
