Поиск

Определение стехиометрии, концентрации ОН-групп и точечных дефектов в кристаллах ниобата лития по ИК спектрам поглощения

Авторы: Теплякова, Н. А. Сидоров, Н. В. Палатников, М. Н.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/684242742
Дата корректировки 11:25:42 6 сентября 2021 г.
10.21883/OS.2020.08.49708.85-20
Служба первич. каталог. Феллер
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 535.33
Теплякова, Н. А.
Определение стехиометрии, концентрации ОН-групп и точечных дефектов в кристаллах ниобата лития по ИК спектрам поглощения
Электронный ресурс
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 23 назв.
Аннотация По ИК спектрам поглощения в области валентных колебаний ОН-групп рассчитаны концентрация примесных ОН-групп, отношение Li/Nb, а также концентрация точечных дефектов Nb{4+}[Li] и V{-}[Li] в кристаллах LiNbO[3] стехиометрического и конгруэнтного составов, а также в кристаллах, легированных магнием и цинком в концентрациях, близких к пороговым. Обнаружена корреляция в поведении полос в ИК спектрах поглощения сильно легированных кристаллов LiNbO[3] : Mg и LiNbO[3] : Zn с поведением линии спектра комбинационного рассеяния, отвечающей валентным мостиковым колебаниям атомов кислорода в октаэдре NbO[6] вдоль полярной оси.
кристаллы ниобата лития
легирование
ИК спектроскопия поглощения
комбинационное рассеяние света
стехиометрия
точечные дефекты
концентрация ОН-групп
Сидоров, Н. В.
Палатников, М. Н.
Оптика и спектроскопия
2020
Т. 128, вып. 8. - С. 1121-1127
Имя макрообъекта Теплякова_определение
Тип документа b