| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/683384340 |
| Дата корректировки | 13:01:26 27 августа 2021 г. |
| 10.21883/OS.2020.05.49326.326-19 | |
| Служба первич. каталог. | Феллер |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 535.33 |
| Смагин, В. П. | |
|
Фотолюминесценция квантовых точек Zn[1-x-y]Cu[x]Eu[y]S/EuL[3] в полиакрилатной матрице Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 59 назв. |
| Аннотация | Сульфид цинка является одним из наиболее востребованных люминесцирующих полупроводников группы А(II)B(VI). Легирование квантовых точек ZnS ионами Ln{3+} позволяет сформировать в полупроводниковой матрице наноразмерные структуры, содержащие изолированные центры узкополосной люминесценции. Внедрение КТ в акрилатные матрицы дополнительно стабилизирует частицы, позволяет сформировать их морфологию. Наноразмерные структуры Zn[1-x-y]Cu[x]Eu[y]S/EuL[3], где L — трифторацетат-анионы, синтезированы метoдом возникающих реагентов in situ в среде метилметакрилата (ММА). Легирование ZnS проведено одновременным введением в акрилатную реакционную смесь растворимых прекурсоров сульфида цинка, а также трифторацетатов меди и европия. Полимерные оптически прозрачные композиции ПММА/Zn[1-x-y]Cu[x]Eu[y]S/EuL[3] получены радикальной полимеризацией ММА в блоке. Возбуждение люминесценции композиций связано с межзонным переходам электронов в ZnS, с системой уровней, которые формируют легирующие ионы в запрещенной зоне ZnS, а также с собственным поглощением энергии ионами Eu{3+}. Широкополосная люминесценция композиций обусловлена внутрикристаллическими дефектами, сформировавшимися в ZnS при легировании. Узкополосная люминесценция возникает в результате электронных {5}D[0] - {7}F[j]-переходов в ионах Eu{3+}, связанных с КТ, а также находящихся в полимерной матрице независимо от них. Перенос энергии с донорных уровней полупроводниковой матрицы на уровни ионов Eu{3+} с последующим выделением ее в виде люминесценции подтвержден наложением полос поглощения легированного ZnS и полос возбуждения люминесценции композиций, а также увеличением интенсивности узкополосной люминесценции ионов Eu{3+} при одновременном уменьшении интенсивности широкой полосы рекомбинационной люминесценции легированного ZnS. Уменьшение интенсивности полосы рекомбинационной люминесценции ZnS при увеличении концентрации ионов Eu{3+} > 1.0 · 10{-3} mol/L также связано с образованием на поверхности частиц слоя комплексных соединений европия. |
| Ерёмина, Н. С. | |
|
квантовые точки сульфид цинка ионы европия метилметакрилат фотолюминесценция полиакрилатные матрицы европий цинк |
|
|
Исаева, А. А. Еремина, Н. С. |
|
|
Оптика и спектроскопия 2020 Т. 128, вып. 5. - С. 651-658 |
|
| Имя макрообъекта | Смагин_фотолюминесценция квантовых |
| Тип документа | b |
