| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/683048417 |
| Дата корректировки | 15:40:17 23 августа 2021 г. |
| 10.21883/OS.2020.03.49067.300-19 | |
| Служба первич. каталог. | Феллер |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 535.33 |
| Алафердов, А. В. | |
|
Использование пленок из многослойного графена в качестве покрытий светоизлучающих GaAs-структур Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 19 назв. |
| Аннотация | Экспериментально обнаружено существенное (почти на два порядка величины) увеличение интенсивности фото- и электролюминесценции диодной структуры с квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs, слоем GaMnAs в качестве спинового инжектора и контактным покрытием из пленки многослойного графена. Результат объясняется возможным образованием гибридной системы многослойного графена и полупроводника GaAs под воздействием излучения He-Ne-лазера, приводящим к изменению зонной диаграммы гетероструктуры. |
| Мошкалёв, С. А. | |
|
светоизлучающие структуры GaAs-структуры квантовая яма многослойный графен люминесценция лазерное воздействие |
|
|
Вихрова,О. В. Данилов, Ю. А. Звонков, Б. Н. Мошкалев, С. А. |
|
|
Оптика и спектроскопия 2020 Т. 128, вып. 3. - С. 399-406 |
|
| Имя макрообъекта | Алафердов_использование |
| Тип документа | b |
