Поиск

Доменный эпитаксиальный рост сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция на сапфире

Авторы: Тумаркин, А. В. Одинец, А. А.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/682185238
Дата корректировки 16:12:30 13 августа 2021 г.
10.21883/FTT.2018.01.45293.200
Служба первич. каталог. Войтик
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 539.21
Тумаркин, А. В.
Доменный эпитаксиальный рост сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция на сапфире
Электронный ресурс
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 17 назв.
Аннотация Представлена модель эпитаксиального роста кристаллических многокомпонентных пленок на монокристаллических подложках с доменным соответствием на примере твердого раствора титаната бария-стронция на подложках сапфира (r-срез). Доменный эпитаксиальный рост предполагает согласование плоскостей решетки пленки и подложки, имеющих схожую структуру, путем сопоставления доменов, кратных целому числу межплоскостных расстояний. Варьирование компонентного состава твердого раствора позволяет изменять размер домена в диапазоне, достаточном для снижения рассогласования решеток титаната бария-стронция и сапфира до значения, достаточного для эпитаксиального роста. Таким образом может быть спроектирован эпитаксиальный рост пленок различных твердых растворов на монокристаллических подложках.
Ключевые слова пленки
тонкие пленки
сегнетоэлектрические пленки
кристаллические пленки
многокомпонентные пленки
твердые растворы
титанат бария-стронция
монокристаллические подложки
сапфировые подложки
рост пленок
эпитаксиальный рост пленок
Другие авторы Одинец, А. А.
Название источника Физика твердого тела
Место и дата издания 2018
Прочая информация Т. 60, вып. 1. - С. 88-93
Имя макрообъекта Тумаркин_доменный
Тип документа b