| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/681815615 |
| Дата корректировки | 11:37:29 9 августа 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2019.12.48537.17ks | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Мохов, Е. Н. | |
|
Выращивание объёмных кристаллов AlN и GaN сублимационным сандвич-методом Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Приведен обзор результатов роста объемных кристаллов нитридов Al и Ga на инородных затравках сублимационным сандвич-методом. Анализируется кинетика и механизм сублимации и конденсации в зависимости от условий роста, состава паровой фазы, ориентации кристалла и расстояния между источником и затравкой. Экспериментально установлено, что при совместном отжиге AlN с SiC скорость сублимации AlN существенно возрастает за счет образования жидкой фазы на поверхности кристалла. Неоднородное распределение жидкой фазы, локализованной преимущественно вблизи структурных и морфологических дефектов, приводит к селективному характеру травления поверхности и является причиной ухудшения качества растущего кристалла. Реализован процесс роста объемных кристаллов AlN с одновременным испарением затравки, позволяющий получить кристаллы без трещин и с улучшенными параметрами. На затравках SiC выращены объемные кристаллы AlN и GaN до 2 дюймов в диаметре. |
| Ключевые слова | кристаллы |
|
объемные кристаллы нитрид галлия нитрид алюминия выращивание кристаллов сублимационный рост сандвич-метод |
|
| Другие авторы | Вольфсон, А. А. |
| Казарова, О. П. | |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 61, вып. 12. - С. 2298-2302 |
| Имя макрообъекта | Мохов_выращивание |
| Тип документа | b |
