| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/681573682 |
| Дата корректировки | 14:06:56 6 августа 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.08.44794.8476 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Чупыра, С. М. | |
|
Примесные уровни в кристаллах Hg[3]In[2]Te[6] Электронный ресурс |
|
| The impurity levels in Hg[3]In[2]Te[6] crystals | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Исследованы параметры примесных уровней в образцах Hg[3]In[2]Te[6], при использовании температурных зависимостей концентрации электронов n(T) и энергии Ферми EF (T), полученных по данным коэффициента Холла R(T) и термоэдс. Приведенный дифференциальный анализ зависимостей n(T) показал, что изменяя степень компенсации с помощью термообработки образцов, можно зафиксировать более широкий спектр примесных уровней в запрещенной зоне Hg[3]In[2]Te[6]. |
| Ключевые слова | примесные уровни |
|
кристаллы полупроводники метод Бриджмена примесная проводимость термоэдс |
|
|
Грушка, О. Г. Биличук, С. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 8. - С. 1085-1087 |
|
| Имя макрообъекта | Чупыра_примесные |
| Тип документа | b |
