Поиск

Сложная структура оптических переходов с остовных d-уровней кристаллов InAs и InSb

Авторы: Соболев, В. В. Перевощиков, Д. А.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/681572356
Дата корректировки 13:45:10 6 августа 2021 г.
10.21883/FTP.2017.08.44793.8454
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Соболев, В. В.
Сложная структура оптических переходов с остовных d-уровней кристаллов InAs и InSb
Электронный ресурс
Complex structure of the optical transitions from the core d-states of InAs and InSb crystals
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 39 назв.
Аннотация Усовершенствованным беспараметрическим методом объединенных диаграмм Арганда спектры диэлектрической проницаемости кристаллов InAs и InSb в области 15-40 эВ разложены на тринадцать и двенадцать отдельных компонент соответственно с определением для каждой из них трех основных параметров: энергий максимума и полуширины, а также силы осциллятора. Силы осцилляторов находятся в интервалах 0.006-0.10 (InAs) и 0.014-0.076 (InSb). Спектры диэлектрических проницаемостей предварительно рассчитаны на основе экспериментальных спектров отражения и поглощения методом интегральных соотношений Крамерса-Кронига. Предложена природа полученных полос переходов по модели межзонных и экситонных переходов.
Ключевые слова оптические переходы
остовные d-уровни кристаллов
кристаллы
спектры диэлектрической проницаемости
диэлектрические функции
арсенид индия
антимонид индия
Перевощиков, Д. А.
Физика и техника полупроводников
2017
Т. 51, вып. 8. - С. 1078-1084
Имя макрообъекта Соболев_сложная
Тип документа b