Поиск

Влияние свободных носителей заряда на двулучепреломление и дихроизм в слоях анизотропного пористого кремния

Авторы: Секербаев, К. С. Таурбаев, Е. Т. Ефимова, А. И. Тимошенко, В. Ю. Таурбаев, Т. И.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/681564520
Дата корректировки 11:34:36 6 августа 2021 г.
10.21883/FTP.2017.08.44796.8119
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Секербаев, К. С.
Влияние свободных носителей заряда на двулучепреломление и дихроизм в слоях анизотропного пористого кремния
Электронный ресурс
Effect of free charge carriers on birefringence and dichroism in anisotropic porous silicon layers
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 11 назв.
Аннотация Экспериментально и теоретически исследованы оптические свойства анизотропных пленок мезопористого кремния, содержащих свободные носители заряда (дырки), в инфракрасной области спектра. Результаты моделирования оптических свойств полученных образцов в рамках приближения эффективной среды демонстрируют сильную зависимость двулучепреломления, анизотропии отражения и дихроизма от концентрации свободных носителей заряда. Вкладом носителей заряда с концентрацией порядка 10{19} см{-3} объясняются немонотонные зависимости спектров разностного пропускания образцов, измеренные при взаимно перпендикулярных направлениях поляризации света. Полученные результаты свидетельствуют о перспективности анизотропных кремниевых наноструктур для инфракрасной фотоники и терагерцовой техники.
Ключевые слова пористый кремний
анизотропные пленки
двулучепреломление
анизотропия отражения
дихроизм
кремниевые наноструктуры
инфракрасная фотоника
электрохимическое травление
Таурбаев, Е. Т.
Ефимова, А. И.
Тимошенко, В. Ю.
Таурбаев, Т. И.
Физика и техника полупроводников
2017
Т. 51, вып. 8. - С. 1091-1095
Имя макрообъекта Секербаев_влияние
Тип документа b