| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/681559658 |
| Дата корректировки | 10:15:20 6 августа 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.08.44801.8478 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Мнацаканов, Т. Т. | |
|
Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей Электронный ресурс |
|
| Current–voltage characteristics of Schottky diodes at high current densities under minority carriers injection | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 18 назв. |
| Аннотация | Получено аналитическое выражение для вольт-амперной характеристики диода Шоттки при высоком уровне инжекции неосновных носителей заряда. Вплоть до самых высоких значений плотности тока падение напряжения на диоде тем больше, чем выше уровень легирования базы. Проанализирован физический механизм, обусловливающий возникновение этого ”парадоксального“ результата. Численный расчет с помощью программы, учитывающей полную совокупность нелинейных эффектов, обусловленных высоким уровнем инжекции в базовом слое и сильным легированием эмиттерной области, подтверждает справедливость полученного аналитического результата. |
| Ключевые слова | диоды Шоттки |
|
вольт-амперные характеристики инжекция неосновные носители заряда легирование полупроводники |
|
|
Тандоев, А. Г. Левинштейн, М. Е. Юрков, С. Н. Palmour, J. W. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 8. - С. 1125-1130 |
|
| Имя макрообъекта | Мнацаканов_вольт |
| Тип документа | b |
