| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/681555810 |
| Дата корректировки | 9:07:57 6 августа 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.08.44803.8517a | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Лебедев, М. В. | |
|
Влияние растворителя сульфида аммония на пассивацию поверхности GaSb(100) Электронный ресурс |
|
| Effect of the sulfide ammonium solvent on surface passivation of GaSb(100) | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 27 назв. |
| Аннотация | Методами рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии и сканирующей электронной микроскопии исследовано влияние растворителя на химический состав сульфидного слоя, образующегося на поверхности GaSb(100). Обработка поверхности GaSb(100) в растворах сульфида аммония приводит к формированию толстого (несколько десятков нанометров) покрытия, представляющего собой смесь различных бинарных и тройных сульфидов галлия и сурьмы. Обнаружено различие химического состава пассивирующих сульфидных слоев, сформированных в водном и спиртовом растворах сульфида аммония. Отжиг сульфидного слоя при 360°C приводит к частичной десорбции сурьмы и распаду тройных сульфидов на бинарные составляющие. |
| Ключевые слова | сульфид аммония |
|
фотоэмиссионная спектроскопия сканирующая электронная микроскопия сульфид галлия сурьма узкозонные полупроводники полупроводники сульфидная пассивация |
|
|
Львова, Т. В. Павлов, С. И. Седова, И. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 8. - С. 1138-11145 |
|
| Имя макрообъекта | Лебедев_влияние |
| Тип документа | b |
