| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/681470279 |
| Дата корректировки | 9:22:17 5 августа 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.08.44800.8559 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Давыдов, В. Ю. | |
|
Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6H-SiC (0001) Электронный ресурс |
|
| Study of crystal and electronic structure of graphene films grown on 6H-SiC (0001) | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 18 назв. |
| Аннотация | С использованием спектроскопии комбинационного рассеяния света, атомно-силовой микроскопии, дифракции медленных электронов, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением и спектроскопии рентгеновского поглощения вблизи K-края углерода изучены структурные, химические и электронные свойства эпитаксиальных графеновых пленок, выращенных методом термического разложения Si-грани полуизолирующей подложки 6H-SiC в среде аргона. Показано, что результаты систематических комплексных исследований позволили оптимизировать ростовые параметры и создать надежную технологию роста высококачественных однослойных пленок графена с небольшой долей включений двухслойного графена. |
| Служебное примечание | Усачев, Д. Ю. |
| Ключевые слова | графеновые пленки |
|
графен спектроскопия атомно-силовая микроскопия дифракция медленных электронов термическое разложение Si-грани |
|
|
Усачёв, Д. Ю. Лебедев, С. П. Смирнов, А. Н. Левицкий, В. С. Елисеев, И. А. Алексеев, П. А. Дунаевский, М. С. Вилков, О. Ю. Рыбкин, А. Г. Лебедев, А. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 8. - С. 1116-1124 |
|
| Имя макрообъекта | Давыдов_исследование |
| Тип документа | b |
