| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/681404697 |
| Дата корректировки | 15:10:27 4 августа 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.08.44776.45 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Бойков, Ю. А. | |
|
Отклик термоэлектрических параметров пленок Bi[0.5]Sb[1.5]Te[3] на вторичную рекристаллизацию Электронный ресурс |
|
| Response of thermoelectric parameters of Bi[0.5]Sb[1.5]Te[3] films to secondary recrystallization | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 3 назв. |
| Аннотация | Методом дискретного испарения на подложках из слюды (мусковит) сформированы пленки Bi[0.5]Sb[1.5]Te[3] толщиной 1.2 мкм. Средний латеральный размер кристаллитов в свежевыращенных пленках ~ 800 нм. Плоскость (0001) в кристаллитах преимущественно ориентирована параллельно плоскости подложки. После термообработки в атмосфере аргона эффективный латеральный размер кристаллитов, в которых ось третьего порядка перпендикулярна плоскости подложки, увеличивался в 3-5 раз, причем последние были четко преимущественно ориентированы и в плоскости подложки. Параметр термоэлектрической мощности пленок Bi[0.5]Sb[1.5]Te[3], после их термообработки в инертной атмосфере возрастал примерно вдвое и имел значения, близкие к его величине для соответствующих монокристаллов. |
| Ключевые слова | термоэлектрическая мощность пленок |
|
рекристаллизация дискретное испарение слюда кристаллиты монокристаллы халькогениды висмута сурьма зонная плавка |
|
| Данилов, В. А. | |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 8. - С. 1018-1020 |
|
| Имя макрообъекта | Бойков_отклик |
| Тип документа | b |
