| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/681217565 |
| Дата корректировки | 11:31:22 2 августа 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2019.10.48280.434 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Котоусова, И. С. | |
|
Электронографическое изучение структуры эпитаксиального графена, сформированного путем термического разложения SiC(0001) в атмосфере Ar и в высоком вакууме Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | Исследована структура эпитаксиального графена, полученного в результате термодеструкции поверхности карбида кремния в условиях вакуумного синтеза и в среде Ar, методом электронографии на отражение. В результате проведенного исследования установлено значительно более однородное покрытие буферного слоя на поверхности SiC графеном при формировании его в инертной среде на поверхности политипов 4H- и 6H-SiC(0001) по сравнению с синтезом графена в вакууме. Показана зависимость качества покрытия от степени совершенства исходного монокристалла. |
| Ключевые слова | пленки |
|
графен графеновые пленки эпитаксиальный графен монокристаллы карбид кремния аргон термодеструкция электронография |
|
| Другие авторы | Лебедев, С. П. |
|
Лебедев, А. А. Булат, П. В. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 61, вып. 10. - С. 1978-1984 |
| Имя макрообъекта | Котоусова_электронографическое |
| Тип документа | b |
