| Индекс УДК | 548/549 |
|
Механизмы атомно-молекулярных процессов кристаллизации нитевидных нанокристаллов Si и GaAs В. А. Небольсин, Н. Свайкат, В. В. Корнеева |
|
| Аннотация | Проанализированы атомно-молекулярные процессы кристаллизации нитевидных нанокристаллов (ННК) Si и GaAs. Показано, что атомная структура фазовой границы кристалл/жидкость приводит к худшей смачиваемости каплями металла-катализатора граней (111) Si и \[\left ( {\bar {1}\bar {1}\bar {1}} \right) \В GaAs, росту ННК Si и GaAs в направлениях (111) и \[\left\langle {\bar {1}\bar {1}\bar {1}} \right\rangle \В, образованию арсенидных кристаллов с кубической и гексагональной решетками. |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2021 |
| Прочая информация | Т. 57, № 3. - С. 235-242 |
|
https://sciencejournals.ru/list-issues/neorgmat/ |
