| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/680799519 |
| Дата корректировки | 15:20:11 28 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2019.10.48245.498 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Асадчиков, В. Е. | |
|
Изучение микроструктуры кристаллов Si, подвергнутых облучению быстрыми Н{+}-ионами и термообработке, методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и электронной просвечивающей микроскопии Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 22 назв. |
| Аннотация | Были изучены структурные особенности образования радиационных дефектов в имплантированных протонами слоях кремниевых пластин в процессе их термической обработки. Из анализа результатов исследований методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии, получены новые данные о природе, характеристиках и концентрации микродефектов в кристаллах Si, облученных протонами с энергиями 100 + 200 + 300 keV, с общей дозой 2 · 10{16} cm{-2}, и эволюции дефектной структуры при термообработке в широком диапазоне температур от 200 до 1100°С. |
| Ключевые слова | кристаллы |
|
микроструктура кристаллов кремний ионы водорода имплантация ионами водорода трехкристальная рентгеновская дифрактометрия просвечивающая электронная микроскопия постимплантационный отжиг микродефекты радиационные дефекты |
|
| Другие авторы | Дьячкова, И. Г. |
|
Золотов, Д. А. Чуховский, Ф. Н. Сорокин, Л. М. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 61, вып. 10. - С. 1754-1762 |
| Имя макрообъекта | Асадчиков_изучение |
| Тип документа | b |
