Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/680796711 |
Дата корректировки | 14:29:40 28 июля 2021 г. |
10.21883/FTT.2019.10.48243.467 | |
Служба первич. каталог. | Войтик |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 539.21 |
Шелег, А. У. | |
Влияние электронного облучения на диэлектрические характеристики монокристаллов AgGaSe[2] Электронный ресурс |
|
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
Библиография | Библиогр.: 3 назв. |
Аннотация | Исследовано влияние различных доз электронного облучения на диэлектрическую проницаемость и удельную электропроводность тройных нелинейно-оптических кристаллов AgGaSe[2] на различных частотах измерительного поля в интервале температур 100-300 K. Обнаружено, что облучение монокристаллов приводит к уменьшению значений диэлектрической проницаемости и значительному возрастанию электропроводности. Показано, что с ростом температуры диэлектрическая проницаемость и электропроводность увеличиваются. Установлено, что для кристаллов AgGaSe[2] характерно наличие нескольких типов проводимости. Обнаружена существенная частотная дисперсия диэлектрических свойств исследованных кристаллов. |
Ключевые слова | монокристаллы |
нелинейно-оптические кристаллы тройные серебросодержащие соединения диэлектрическая проницаемость удельная электропроводность дисперсия температурная зависимость электронное облучение |
|
Другие авторы | Гуртовой, В. Г. |
Название источника | Физика твердого тела |
Место и дата издания | 2019 |
Прочая информация | Т. 61, вып. 10. - С. 1743-1745 |
Имя макрообъекта | Шелег_влияние |
Тип документа | b |