Поиск

Влияние электронного облучения на диэлектрические характеристики монокристаллов AgGaSe[2]

Авторы: Шелег, А. У. Гуртовой, В. Г.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/680796711
Дата корректировки 14:29:40 28 июля 2021 г.
10.21883/FTT.2019.10.48243.467
Служба первич. каталог. Войтик
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 539.21
Шелег, А. У.
Влияние электронного облучения на диэлектрические характеристики монокристаллов AgGaSe[2]
Электронный ресурс
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 3 назв.
Аннотация Исследовано влияние различных доз электронного облучения на диэлектрическую проницаемость и удельную электропроводность тройных нелинейно-оптических кристаллов AgGaSe[2] на различных частотах измерительного поля в интервале температур 100-300 K. Обнаружено, что облучение монокристаллов приводит к уменьшению значений диэлектрической проницаемости и значительному возрастанию электропроводности. Показано, что с ростом температуры диэлектрическая проницаемость и электропроводность увеличиваются. Установлено, что для кристаллов AgGaSe[2] характерно наличие нескольких типов проводимости. Обнаружена существенная частотная дисперсия диэлектрических свойств исследованных кристаллов.
Ключевые слова монокристаллы
нелинейно-оптические кристаллы
тройные серебросодержащие соединения
диэлектрическая проницаемость
удельная электропроводность
дисперсия
температурная зависимость
электронное облучение
Другие авторы Гуртовой, В. Г.
Название источника Физика твердого тела
Место и дата издания 2019
Прочая информация Т. 61, вып. 10. - С. 1743-1745
Имя макрообъекта Шелег_влияние
Тип документа b