| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/680350391 |
| Дата корректировки | 10:18:46 23 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.06.44558.8433 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Рехвиашвили, С. Ш. | |
|
Моделирование диффузионно-дрейфового транспорта носителей заряда в полупроводниковых слоях с фрактальной структурой в переменном электрическом поле Электронный ресурс |
|
| Simulation of the drift-diffusion transport of charge carriers in the semiconductor layer with the fractal structure in alternating electric field | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | На основе дифференциального уравнения в частных производных дробного порядка проведено моделирование диффузионно-дрейфового транспорта носителей заряда в полупроводниковом слое с фрактальной структурой под действием продольного переменного электрического поля. В рамках модели показано, что в слоях с фрактальной структурой имеют место уширение и асимметрия пространственно-временных распределений носителей заряда. При определенных условиях наблюдается эффект удвоения частоты осцилляций заряда во внешнем переменном электрическом поле. |
| Ключевые слова | диффузионно-дрейфовый транспорт |
|
носители заряда полупроводниковые слои фрактальная структура переменное электрическое поле показатели Херста |
|
| Алиханов, А. А. | |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 6. - С. 787-791 |
|
| Имя макрообъекта | Рехвиашвили_моделирование |
| Тип документа | b |
