| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/680277626 |
| Дата корректировки | 14:07:45 22 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.06.44564.8403 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Мнацаканов, Т. Т. | |
|
О пределе инжектирующей способности кремниевых p{+}-n-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов Электронный ресурс |
|
| On silicon p{+}-n junctions injection ability limit caused by fundamental physical effects | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | С учетом совокупности нелинейных физических эффектов: электронно-дырочного рассеяния, ожерекомбинации, сужения ширины запрещенной зоны, нелинейной зависимости времени жизни и подвижности носителей от легирования получены аналитические выражения, описывающие зависимости тока утечки p{+}-n-перехода от уровня легирования p{+}-области. Показано, что эта зависимость имеет минимум, при котором инжекционная способность перехода максимальна. Проанализирована зависимость положения точки экстремума от основных параметров сильно легированного материала. Полученные результаты позволяют оптимизировать структуру мощных кремниевых приборов и облегчить адекватность оценки численных расчетов. |
| Ключевые слова | инжекция |
|
кремний кремниевые структуры инжектирующая способность эмиттеры легирование |
|
|
Левинштейн, М. Е. Шуман, В. Б. Середин, Б. М. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 6. - С. 830-834 |
|
| Имя макрообъекта | Мнацаканов_о пределе |
| Тип документа | b |
