| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/680276911 |
| Дата корректировки | 13:55:53 22 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.06.44561.8228 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Мехтиева, С. И. | |
|
Влияние примеси самария на структуру и морфологию поверхности халькогенидного стеклообразного полупроводника Se[95]Te[5] Электронный ресурс |
|
| Influence of samarium impurity on structure and surface morphology of Se[95]Te[5] chalcogenide glassy semiconductor | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 23 назв. |
| Аннотация | Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии исследованы структура и морфология поверхности пленок Se[95]Te[5], а также влияние на них легирования самарием. C использованием параметров первого резкого дифракционного максимума (FSDP), наблюдаемого в картинах распределения интенсивности дифракции рентгеновских лучей, определены численные значения параметров локальной структуры, в частности ”квазипериод“ флуктуаций плотности, длина корреляции, диаметры нанопустот. Кроме того, определены численные значения амплитудных параметров шероховатости поверхности. Установлено, что с увеличением процентного содержания примеси самария наблюдается рост разупорядочения в атомной структуре и рост неоднородностей на поверхности исследуемых пленок. |
| Ключевые слова | халькогенидные стеклообразные полупроводники |
|
полупроводники рентгеновская дифракция атомно-силовая микроскопия самарий легирование аморфные пленки |
|
|
Атаева, С. У. Исаев, А. И. Зейналов, В. З. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 6. - С. 809-814 |
|
| Имя макрообъекта | Мехтиева_влияние |
| Тип документа | b |
