| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/680106142 |
| Дата корректировки | 14:36:32 20 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.05.44430.8406 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Сенокосов, Э. А. | |
|
Экспериментальное и теоретическое исследования характеристик позиционно-чувствительных фотоприемников на основе эпитаксиальных слоев n-CdSe/слюда Электронный ресурс |
|
| Experimental and theoretical studies of the characteristics of the position-sensitive photodetectors on the basis of epitaxial layers of the n-CdSe/mica | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Приведены экспериментальные результаты исследования выходных характеристик четырехконтактных полупроводниковых позиционно-чувствительных фотоприемников, изготовленных на основе эпитаксиальных фоточувствительных слоев n-CdSe/слюда. Проведен теоретический анализ позиционной чувствительности слоев на основе элементарной теории токопротекания и модели электрического диполя. Установлено, что теоретические характеристики координатной чувствительности исследованных позиционно-чувствительных фотоприемников коррелируют с экспериментальными зависимостями как по форме кривых, так и положению максимумов. Результаты определения удельной спектральной чувствительности свидетельствуют о перспективности слоев n-CdSe в качестве позиционно-чувствительных фотоприемников. |
| Ключевые слова | позиционно-чувствительные фотоприемники |
|
эпитаксиальные слои полупроводники теллурид кадмия селенид кадмия удельная координатная чувствительность |
|
|
Чукита, В. И. Хамидуллин, Р. А. Чебан, В. Н. Один, И. Н. Чукичев, М. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 5. - С. 689-694 |
|
| Имя макрообъекта | Сенокосов_экспериментальное |
| Тип документа | b |
