| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679674688 |
| Дата корректировки | 14:38:01 15 июля 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2017.05.44461.8453 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Власов, А. С. | |
|
Модификация поверхности GaAs и наблюдение эффекта гигантского рамановского рассеяния после диффузии индия Электронный ресурс |
|
| GaAs surface modification and surface enhanced raman scattering observation after Indium diffusion | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследований поверхности GaAs в присутствии сурфактантов индия и фосфора. Показано, что в результате их диффузии (отжига) при температуре 650-670°C в приповерхностной области GaAs образуются кластеры, обогащенные индием. Кластеры проявляются в виде светлых пятен в изображении, полученном с помощью внутрилинзового детектора на сканирующем электронном микроскопе. В то же время исследования морфологии этой поверхности с помощью атомно-силового микроскопа обнаружили уменьшение значения среднеквадратичной шероховатости поверхности после процесса отжига (диффузии), что указывает на внедрение атомов индия в кристаллическую решетку GaAs. Кластеры ответственны за изменения в спектрах рамановского рассеяния: наблюдаются увеличение интенсивности сигнала, вызванное эффектом поверхностно-усиленного (гигантского) рамановского рассеяния, и сдвиг частоты колебаний в приповерхностной области. Обнаружено, что эффект формирования кластеров обусловлен как кристаллографической ориентацией поверхности, так и технологическими условиями ее подготовки. |
| Ключевые слова | рамановское рассеяние |
|
диффузия индия индий арсенид галлия кластеры кристаллические решетки полупроводники наногетероструктуры |
|
|
Карлина, Л. Б. Комисаренко, Ф. Э. Анкудинов, А. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 5. - С. 611-614 |
|
| Имя макрообъекта | Власов_модификация |
| Тип документа | b |
