| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679672105 |
| Дата корректировки | 13:53:51 15 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.05.44412.8353 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Агеева, Н. Н. | |
|
Пикосекундная релаксация перенормировки запрещенной зоны GaAs, вызванной кулоновским взаимодействием носителей заряда Электронный ресурс |
|
| Picosecond relaxation of the GaAs band gap renormalization caused by charge carriers Coulomb interaction | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Экспериментально исследовалась динамика длинноволнового края спектра собственного стимулированного пикосекундного излучения, возникающего во время пикосекундной накачки GaAs. Обнаружен дефицит перенормировки запрещенной зоны, вызванной кулоновским взаимодействием носителей заряда, по сравнению с перенормировкой в квазистационарном состоянии. Предполагается, что дефицит обусловлен тем, что в условиях настоящего эксперимента время релаксации перенормировки относится к пикосекундному диапазону. |
| Ключевые слова | пикосекундное излучение |
|
перенормировка запрещенной зоны кулоновское взаимодействие пикосекундная накачка гетероструктуры |
|
|
Броневой, И. Л. Забегаев, Д. Н. Кривоносов, А. Н. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 5. - С. 594-599 |
|
| Имя макрообъекта | Агеева_пикосекундная |
| Тип документа | b |
