| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679417220 |
| Дата корректировки | 16:17:53 12 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.04.44334.8369 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Зайцева, Э. Г. | |
|
Подвижность электронов в инверсионных слоях полностью обедняемых пленок кремний-на-изоляторе Электронный ресурс |
|
| Electron mobility in inversion layers of fully depleted SOI films | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 22 назв. |
| Аннотация | Исследована подвижность электронов µ[eff] в инверсионных слоях двухзатворных полностью обедняемых КНИ (кремний-на-изоляторе) МОП транзисторов в зависимости от плотности индуцированных носителей заряда N[e] и температуры T при разных режимах пленки КНИ со стороны одного из затворов (инверсия-обогащение). Показано, что при большой плотности индуцированных носителей заряда (N[e] > 6 · 10{12} cм{-2}) зависимости µ[eff](T) позволяют выделить компоненты подвижности µ[eff], связанные с рассеянием на поверхностных фононах и микрорельефе границы раздела пленка/диэлектрик. Определены значения показателей n зависимостей и доминирующие механизмы рассеяния электронов, индуцированных вблизи границы раздела пленки КНИ со скрытым диэлектриком, для различных интервалов N[e] и режимов пленки со стороны поверхности. |
| Ключевые слова | кремний-на-изоляторе |
|
подвижность электронов полностью обедняемые пленки индуцированные носители заряда рассеяние на фононах диэлектрики |
|
|
Наумова, О. В. Фомин, Б. И. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 4. - С. 446-452 |
|
| Имя макрообъекта | Зайцева_подвижность |
| Тип документа | b |
