| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679154036 |
| Дата корректировки | 13:58:38 9 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.03.44207.8360 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Пархоменко, Г. П. | |
|
Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe Электронный ресурс |
|
| Temperature dependent electrical parameters of anisotype heterojunctions NiO/CdTe | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
| Аннотация | Изготовлены гетероструктуры NiO/CdTe методом реактивного магнетронного распыления. Измерены вольт-амперные характеристики при различных температурах. Установлено, что основными механизмами токопереноса через гетеропереход NiO/CdTe при прямых смещениях является генерационно-рекомбинационный и туннельный, а при обратных - туннельный. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода V[oc] = 0.26 В и ток короткого замыкания I[sc] = 58.7мкА/см{2} при интенсивности освещения 80мВт/см{2}. |
| Ключевые слова |
анизотипные гетеропереходы гетероструктуры |
|
температурные зависимости оксид никеля теллурид кадмия полупроводниковые материалы полупроводники |
|
|
Солован, М. Н. Мостовой, А. И. Ульяницкий, К. С. Марьянчук, П. Д. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 3. - С. 358-362 |
|
| Имя макрообъекта | Пархоменко_температурные |
| Тип документа | b |
