| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679065524 |
| Дата корректировки | 13:27:31 8 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.02.44111.8335 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Юрков, С. Н. | |
|
Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4H-SiC Электронный ресурс |
|
| Impact of non-one-dimensional effects on switched-on gate current in 4H-SiC thyristors | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 23 назв. |
| Аннотация | Рассмотрено влияние неодномерных эффектов, обусловленных растеканием тока управления в базовом слое, на величину отпирающего тока управления тиристоров на основе 4H-SiC. Показано, что реализующийся в 4H-SiC тиристорах новый механизм переключения приводит к зависимости отпирающего тока управления от параметров тиристора, качественно отличающейся от соответствующей зависимости в традиционных кремниевых тиристорах. |
| Ключевые слова | тиристоры |
|
высоковольтные тиристоры SiC-тиристоры карбид кремния неодномерные эффекты |
|
|
Мнацаканов, T. T. Левинштейн, М. Е. Тандоев, А. Г. Palmour, J. W. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 2. - С. 234-239 |
|
| Имя макрообъекта | Юрков_анализ |
| Тип документа | b |
