| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679059944 |
| Дата корректировки | 11:51:33 8 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.02.44106.8323 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Шулейко, Д. В. | |
|
Фотолюминесценция аморфных и кристаллических кремниевых нанокластеров в сверхрешетках из нитрида и оксида кремния Электронный ресурс |
|
| Photoluminescent properties of amorphous and crystalline silicon nanoclusters in silicon nitride and silicon oxide superlattices | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 34 назв. |
| Аннотация | Исследованы фотолюминесцентные свойства сверхрешеток на основе нитрида и оксида кремния, изготовленных методом плазмохимического осаждения из газовой фазы. В структурах, отожженных при температуре 1150°C, зарегистрированы пики фотолюминесценции в районе 1.45 эВ, обусловленные рекомбинацией экситонов в кремниевых нанокристаллах, формируемых в результате отжига. Наряду с этим были зарегистрированы пики, вызванные рекомбинацией на дефектах, существующих на границе нанокристаллов и матрицы нитрида кремния. Структуры, отожженные при температуре 900°C, имеют ряд пиков фотолюминесценции в диапазоне 1.3-2.0 эВ, обусловленных как дефектами, так и рекомбинацией экситонов в аморфных кремниевых нанокластерах, формирующихся при используемой температуре отжига. Наблюдаемые особенности всех спектров фотолюминесценции подтверждаются характером ее кинетики. |
| Ключевые слова | фотолюминесценция |
|
кремниевые нанокластеры нитрид кремния оксид кремния плазмохимическое осаждение экситоны |
|
|
Заботнов, С. В. Жигунов, Д. М. Зеленина, А. А. Каменских, И. А. Кашкаров, П. К. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 2. - С. 205-211 |
|
| Имя макрообъекта | Шулейко_фотолюминесценция |
| Тип документа | b |
