| Индекс УДК | 539.21 |
|
Влияние термообработки на дисперсию магнитной анизотропии нановключений MnSb, внедренных в тонкие пленки GaMnSb Электронный ресурс |
|
| Аннотация | В тонких пленках GaMnSb с нановключениями MnSb, полученных методом импульсного лазерного осаждения, наблюдается температурноконтролируемое увеличение магнитной анизотропии и ее дисперсии. Данные просвечивающей электронной микроскопии указывают на то, что в образцах происходит переход кристаллической структуры магнитных нановключений MnSb из гексагональной (п. г. P6[3]/mmc) в кубическую (п. г. F-43m). Анализ температурных зависимостей магнитного момента m(T), измеренных с помощью СКВИД-магнитометра, для неотожженных и отожженных образцов, охлажденных в нулевом магнитном поле и магнитном поле напряженностью 10 kOe, указывает на то, что этот механизм не является единственным. В неотожженных образцах распределение магнитной анизотропии нановключений MnSb, определенное из зависимостей m(T), является унимодальным. В отожженных образцах эта же зависимость становится мультимодальной. Это означает, что в образцах при отжиге протекают несколько термоактивированных процессов, приводящих к тому, что в отожженных тонких пленках присутствуют несколько "популяций" нановключений. Вклад в увеличение магнитной анизотропии при отжиге могут давать как структурный фазовый переход, так и рассогласование кристаллических решеток между MnSb и GaSb, увеличение среднего объема нановключений MnSb, а также изменение их стехиометрии. |
| Ключевые слова | пленки |
| Другие авторы | Кочура, А. В. |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 61, вып. 4. - С. 652-658 |
| Имя макрообъекта | Дмитриев_влияние термообработки |
