| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/678817755 |
| Дата корректировки | 16:49:14 5 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2019.03.47247.276 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Акопян, И. Х. | |
|
Кинетика излучения поверхностных (би) экситонов в тонких пленках ZnO Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 24 назв. |
| Аннотация | Исследована кинетика близкраевой фотолюминесценции (ФЛ) в нанометровых пленках ZnO, полученных методом слоевого наслаивания (ALD). Установлено, что кинетика близкраевой ФЛ в 4-nm пленках в большой степени определяется поверхностными 2D-экситонными (SX) и биэкситонными (SXX) комплексами. Вклад поверхностных биэкситонов оценивается на основе фотостимулированного изменения поверхностного потенциала в пленках ZnO различной толщины. Обнаружена ультрабыстрая динамика поверхностных биэкситонов в тонких пленках. Показано, что биэкситоны, локализованные вблизи поверхности, имеют самое короткое излучательное время жизни (менее 100 ps) из всех связанных экситонных комплексов, что объясняется большой силой осциллятора. |
| Ключевые слова | экситоны |
|
биэкситоны тонкие пленки фотолюминесценция близкраевая фотолюминесценция кинетика излучения оксид цинка |
|
| Другие авторы | Лабзовская, М. Э. |
|
Новиков, Б. В. Talalaev, V. G. Tomm, J. W. Schilling, J. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 61, вып. 3. - С. 533-538 |
| Имя макрообъекта | Акопян_кинетика |
| Тип документа | b |
