| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/678469346 |
| Дата корректировки | 15:45:52 1 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.01.43986.8313 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Шуман, В. Б. | |
|
Диффузия межузельного магния в бездислокационном кремнии Электронный ресурс |
|
| Diffusion of interstitial magnesium in dislocation-free silicon | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Исследовалась диффузия примеси магния в пластины монокристаллического бездислокационного дырочного кремния в диапазоне температур T = 600-800°C. Источником диффузии служил слой, имплантированный магнием с энергией ионов 150 кэВ при дозах 5 · 10{14} и 2 · 10{15} см{-2}. Коэффициент диффузии межузельных донорных центров магния D[i] при некоторой заданной T пределялся путем измерения глубины p-n-перехода, который формировался в образцах, прошедших термообработку в течение времени t. В результате исследований впервые определена зависимость D[i] (T). Данные свидетельствуют, что диффузия осуществляется преимущественно по межузельному механизму. |
| Ключевые слова | межузельный магний |
|
диффузия межузельного магния бездислокационный кремний монокристаллический кремний выращивание кристаллов полупроводники |
|
|
Лаврентьев, А. А. Астров, Ю. А. Лодыгин, А. Н. Порцель, Л. М. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 1. - С. 5-7 |
|
| Имя макрообъекта | Шуман_диффузия |
| Тип документа | b |
