| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/678466416 |
| Дата корректировки | 14:59:55 1 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.01.43992.7947 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Нуриев, И. Р. | |
|
Рост, cтруктура и морфология поверхности эпитаксиальных пленок CdTe Электронный ресурс |
|
| Growth, structure and morphology of the surface of CdTe epitaxial films | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 28 назв. |
| Аннотация | Проведено исследование структуры и морфологии поверхности эпитаксиальных пленок CdTe, выращенных на стеклянных подложках без компенсации и с компенсацией дополнительным источником паров Те в процессе роста. Определены оптимальные условия (T[so] = 1000-1100K, T[su] = 570-670K) получения эпитаксиальных пленок с совершенной структурой и чистой, гладкой поверхностью, без включения второй фазы. Установлено, что на стеклянных подложках эпитаксиальные пленки растут плоскостью (111) кубической границентрированной решетки с параметром a = 6.481A . Регулированием температуры основного и компенсирующего источников получены пленки CdTe c n- и p-типом проводимости. |
| Ключевые слова | эпитаксиальные пленки |
|
пленки теллурида кадмия теллурид кадмия конденсация молекулярных пучков |
|
|
Мехрабова, М. А. Назаров, А. М. Садыгов, Р. М. Гасанов, Н. Г. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 1. - С. 36-39 |
|
| Имя макрообъекта | Нуриев_рост |
| Тип документа | b |
