| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Новиков, Г. Ф. |
|
Время жизни избыточного электрона в порошках Cu-Zn-Sn-Se Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методом время-разрешенной микроволновой фотопроводимости в диапазоне 36 ГГц в интервале температур 200-300K изучена кинетика гибели носителей тока в порошках Cu-Zn-Sn-Se, полученных ампульным твердофазным методом синтеза. Время жизни избыточных электронов при комнатной температуре оказалось меньше 5 нс. Энергия активации для процесса рекомбинации составила E[a] ~ 0.054 эВ |
| Ключевые слова | микроволновая фотопроводимость |
| Другие авторы | Гапанович, М. В. |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 1. - С. 22-25 |
| Имя макрообъекта | Новиков_время |
