| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/678280122 |
| Дата корректировки | 11:15:52 29 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.01.43994.8291 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Денисов, К. С. | |
|
Спин-зависимое туннелирование в гетероструктурах с магнитным слоем Электронный ресурс |
|
| Spin-dependent tunneling in heterostructures with a magnetic layer | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., схем. |
| Библиография | Библиогр.: 20 назв. |
| Аннотация | Предложен механизм создания спиновой поляризации в полупроводниковых гетероструктурах, содержащих квантовую яму и пространственно отделенный от нее слой магнитных примесей. Спиновая поляризация носителей заряда в квантовой яме появляется вследствие спин-зависимой туннельной рекомбинации на примесных состояниях в магнитном слое, при этом возникает быстрый линейный рост степени циркулярной поляризации фотолюминесценции из квантовой ямы. Теоретически рассмотрены две ситуации. В первом случае имеет место резонансное туннелирование на спин-расщепленные подуровни примесного центра, при этом генерация спиновой поляризации происходит в меру разной заселенности резонансных уровней в квантовой яме для противоположных проекций спина. Второй, нерезонансный случай, имеет место, когда спин-расщепленный примесный уровень лежит выше заполненных состояний электронов в квантовой яме и играет роль промежуточного состояния в двухэтапном когерентном процессе спин-зависимой рекомбинации электрона из квантовой ямы с дыркой в примесном слое. Разработанная теория позволила качественно и количественно объяснить кинетику фотовозбужденных электронов в экспериментах по фотолюминесценции с временным разрешением в гетероструктурах на основе InGaAs, легированных слоем Mn. |
| Ключевые слова | спин-зависимое туннелирование |
|
гетероструктуры полупроводниковые гетероструктуры спиновая поляризация квантовые ямы фотолюминесценция магнитные полупроводники полупроводники спиновое расщепление |
|
|
Рожанский, И. В. Аверкиев, Н. С. Lahderanta, E. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 1. - С. 45-50 |
| Имя макрообъекта | Денисов_спин-зависимое |
| Тип документа | b |
