| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/677867287 |
| Дата корректировки | 16:31:50 24 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.12.50238.9494 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Стрельчук, А. М. | |
|
Характеристики выпрямительных диодов Шоттки на основе карбида кремния при повышенных температурах Электронный ресурс |
|
| Characteristics of Schottky rectifier diodes based on silicon carbide at elevated temperatures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 3 назв. |
| Аннотация | Исследованы прямые и обратные вольт-амперные характеристики коммерческих выпрямительных диодов на основе барьера Шоттки к 4H-SiC в диапазоне температур 20-370°С; максимальный ток составлял 10-20 мА, максимальное напряжение 10-100 В. Установлено, что диоды можно считать близкими к идеальным с высотой барьера Шоттки ~ 1.5 эВ, при этом прямой ток во всем диапазоне температур, а обратный ток при высоких температурах в значительной степени обусловлены термоэлектронной эмиссией. Верхняя граница диапазона рабочих температур выпрямительных диодов Шоттки на основе 4H-SiC при исследуемых токах и напряжениях примерно соответствует фундаментальной границе, определяемой высотой барьера, и в представленном эксперименте достигает 370°C. |
| Ключевые слова | карбид кремния |
|
выпрямительные диоды барьер Шоттки высокая температура полупроводники |
|
|
Лебедев, А. А. Булат, П. В. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 54, вып. 12. - С. 1364-1367 |
| Имя макрообъекта | Стрельчук_характеристики |
| Тип документа | b |
