| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/677785767 |
| Дата корректировки | 17:53:09 23 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.12.50235.9512 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Похабов, Д. А. | |
|
Двухканальный электронный транспорт в подвешенных квантовых точечных контактах с боковыми затворами Электронный ресурс |
|
| Double-channel electron transport in suspended quantum point contacts with in-plane side gates | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 30 назв. |
| Аннотация | Экспериментально изучен кондактанс подвешенного квантового точечного контакта, изготовленного на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом, снабженного боковыми затворами, отделенными от микросужения с помощью литографических траншей. Затворные зависимости кондактанса таких структур соответствуют необычному двухканальному режиму с независимым квантованием кондактанса каналов: кондактансом отдельных каналов можно независимо управлять с помощью двух боковых затворов. Рассмотрен электростатический механизм образования двухканальной структуры внутри одиночного сужения, связанный с латеральным перераспределением низкоподвижных X-долинных электронов, содержащихся в сверхрешеточных слоях гетероструктуры, приводящий к образованию в средине квантового точечного контакта потенциального барьера, разделяющего электроны проводимости на два канала, симметрично разнесенные к литографическим траншеям, задающим геометрию наноструктуры. |
|
двухканальный электронный транспорт квантовые точечные контакты подвешенные полупроводниковые наноструктуры полупроводниковые наноструктуры наноструктуры мультиканальный транспорт квантование кондактанса |
|
|
Погосов, А. Г. Жданов, Е. Ю. Бакаров, А. К. Шкляев, А. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 12. - С. 1344-1349 |
|
| Имя макрообъекта | Похабов_двухканальный |
| Тип документа | b |
