| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/677689027 |
| Дата корректировки | 15:01:49 22 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.12.50236.9500 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Боднарь, И. В. | |
|
Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In[2]S[3])[x](AgIn[5]S[8])[1-x] Электронный ресурс |
|
| On the band gap of the solid solutions of (In[2]S[3])[x](AgIn[5]S[8])[1-x] single crystals | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
| Аннотация | Методом Бриджмена выращены монокристаллы соединений In[2]S[3], AgIn[5]S[8] и твердых растворов (In[2]S[3])[x] (AgIn[5]S[8])[1-x], определен их состав и структура. Установлено, что как исходные соединения, так и твердые растворы на их основе кристаллизуются в кубической структуре шпинели. Рассчитаны параметры элементарной ячейки указанных монокристаллов и построена их концентрационная зависимость. Показано, что в исследуемой системе выполняется закон Вегарда. Исследованы спектры пропускания в области края фундаментального поглощения при комнатной температуре и определена ширина запрещенной (E[g]) для указанных монокристаллов. Показано, что E[g] с составом х изменяется с отклонением от линейности. |
| Ключевые слова | монокристаллы |
|
твердые растворы кристаллическая структура спектры пропускания ширина запрещенной зоны закон Вегарда дефектные полупроводники полупроводники |
|
|
Фещенко, А. А. Хорошко, В. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 12. - С. 1350-1354 |
|
| Имя макрообъекта | Боднарь_ширина |
| Тип документа | b |
