Поиск

Изменение кристаллической фазы в гетероструктурных Ga(As,P) нитевидных нанокристаллах под воздействием упругих напряжений

Авторы: Сибирев, Н. В. Сибирёв, Н. В. Сибирёв, В. Н. Бердников, Ю. С. Сибирев, В. Н.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/677258948
Дата корректировки 15:33:43 17 июня 2021 г.
10.21883/FTP.2020.10.49954.28
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Сибирев, Н. В.
Изменение кристаллической фазы в гетероструктурных Ga(As,P) нитевидных нанокристаллах под воздействием упругих напряжений
Электронный ресурс
Crystal phase switching in heterostructured Ga(As,P) nanowires under the impact of elastic strain
Иллюстрации/ тип воспроизводства цв. ил., табл.
Библиография Библиогр.: 39 назв.
Аннотация Изучено влияние упругих напряжений на кристаллическую фазу Ga(As, P) нитевидных нанокристаллов. Показано, что упругие напряжения могут приводить к устойчивому росту нитевидных нанокристаллов в метастабильной фазе. Описана возможность смены кристаллической фазы внутри GaP нитевидного нанокристалла после появления Ga(AsP)-вставки.
Сибирёв, Н. В.
Сибирёв, В. Н.
Ключевые слова нитевидные нанокристаллы
нанокристаллы
политипизм
фосфид галлия
вюрцит
гетероструктуры
полупроводники
Бердников, Ю. С.
Сибирев, В. Н.
Физика и техника полупроводников
2020
Т. 54, вып. 10. - С. 1117-1121
Имя макрообъекта Сибирев_изменение
Тип документа b