| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/677257395 |
| Дата корректировки | 15:13:15 17 июня 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2020.10.49941.9448 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Маскаева, Л. Н. | |
|
Структура, оптические и фотоэлектрические свойства пленок сульфида свинца, легированных стронцием и барием Электронный ресурс |
|
| Structure, optical and photoelectric properties of lead sulfide films doped with strontium and barium | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 27 назв. |
| Аннотация | Изучена эволюция морфологии, состава, структурных характеристик (постоянной решетки, микродеформаций, текстурированности), оптических и фотоэлектрических свойств пленок PbS, полученных гидрохимическим осаждением в присутствии иодида аммония и хлоридов стронция или бария при концентрации до 5 ммоль/л. По данным элементного EDX-анализа, содержание стронция в пленках PbS составляет 0.4-0.7 ат%, а барий находится за пределом ошибки определения. Размер частиц, формирующих пленки, варьируется от ~ 200 до ~ 400 нм, а распределение частиц по размерам является мономодальным. Введение в реактор NH[4] I и SrCl[2] или BaCl[2] сохраняет кубическую B1 структуру сульфида свинца, но приводит к немонотонному изменению параметра решетки, что связано с созданием дефектов типа вакансии или ионов внедрения. Введение солей стронция и бария не влияет на ширину запрещенной зоны, однако приводит к изменению интенсивностей примесных полос поглощения в глубине запрещенной зоны и вблизи дна зоны проводимости. Зависимость вольт-ваттной чувствительности пленок от концентрации солей стронция и бария в растворе носит экстремальный характер с максимумами при 0.05 и 0.1 ммоль./л соответственно. |
| Ключевые слова | сульфид свинца |
|
тонкие пленки кристаллическая структура стронций барий оптические свойства фоточувствительность легирование узкозонные полупроводники полупроводники |
|
|
Мостовщикова, Е. В. Воронин, В. И. Лекомцева, Е. Э. Богатова, П. С. Марков, В. Ф. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 54, вып. 10. - С. 1041-1051 |
| Имя макрообъекта | Маскаева_структура |
| Тип документа | b |
