| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676554426 |
| Дата корректировки | 11:54:24 9 июня 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2020.10.49936.9421 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Комков, О. С. | |
|
Исследование встроенных электрических полей на интерфейсе GaSe/GaAs методом спектроскопии фотоотражения Электронный ресурс |
|
| Investigation of built-in electric fields at the GaSe/GaAs interface by photoreflectance spectroscopy | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 30 назв. |
| Аннотация | При молекулярно-пучковой эпитаксии GaSe на подложках GaAs(001) на гетероинтерфейсе GaSe/GaAs возникают встроенные электрические поля, о наличии которых свидетельствуют наблюдаемые в спектрах фотоотражения осцилляции Франца–Келдыша. Различные значения напряженностей этих полей (от 9.8 до 17.6 кВ/см) могут быть связаны как с диффузией атомов Se в подложку (буферный слой) GaAs, так и c формированием при эпитаксиальном росте переходных субмонослоев. На интерфейсе структур, выращенных на подложках GaAs(111)B и GaAs(112), встроенные поля не наблюдаются, что может быть объяснено меньшей эффективностью проникновения Se в подложку с вышеуказанными ориентациями по сравнению с GaAs(001). |
| Ключевые слова | слоистые полупроводники |
|
полупроводники модуляционная оптическая спектроскопия молекулярно-пучковая эпитаксия фотоотражение спектроскопия |
|
|
Хахулин, С. А. Фирсов, Д. Д. Авдиенко, П. С. Седова, И. В. Сорокин, С. В. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 54, вып. 10. - С. 1011-1017 |
| Имя макрообъекта | Комков_исследование |
| Тип документа | b |
