Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/676485616 |
Дата корректировки | 16:52:23 8 июня 2021 г. |
10.21883/FTP.2020.10.49951.9442 | |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Гурбанов, Г. Р. | |
Физико-химические взаимодействия в системе GeSb[2]Te[4]-PbSb[2]Te[4] Электронный ресурс |
|
Physicochemical interactions in the GeSb[2]Te[4]-PbSb[2]Te[4] system | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
Библиография | Библиогр.: 24 назв. |
Аннотация | Впервые комплексными методами (дифференциально-термический, микроструктурный, рентгенофазовый анализы измерением микротвердости и определением плотности) физико-химического анализа исследован разрез GеSb[2]Te[4]-PbSb[2]Te[4] квазитройной системы GeTe-Sb[2]Te[3]-PbTe и построена диаграмма состояния. Установлено, что разрез является частично квазибинарным сечением квазитройной системы GeTe-Sb[2]Te[3]PbTe. Выявлена область твердых растворов на основе GeSb[2]Te[4] (15 мол%, PbSb[2]Te[4]). При соотношении исходных компонентов 1 : 1 образуется конгруэнтно-плавящееся соединение GePbSb[4]Te[8]. Методом химических транспортных реакций получены монокристаллы четверного соединения GePbSb[4]Te[8]. Определены параметры элементарной ячейки GePbSb[4]Te[8], кристаллизующейся в ромбической сингонии: a = 5.06A , b = 9.94A, c = 11.62A. Исследованием температурных зависимостей некоторых электрофизических параметров соединения GePbSb[4]Te[8] и твердого раствора (GeSb[2]Te[4])[x] (PbSb[2]Te[4])[1-x] установлено, что сплавы имеют p-тип проводимости. |
Ключевые слова | квазитройные системы |
монокристаллы физико-химический анализ твердые растворы химические транспортные реакции полупроводниковые материалы игольчатые монокристаллы полупроводники p-типа |
|
Адыгезалова, М. Б. | |
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 10. - С. 1100-1105 |
|
Имя макрообъекта | Гурбанов_физико |
Тип документа | b |