Индекс УДК | 621.315.592 |
Электронные состояния доноров V группы в германии: вариационный расчет с учетом короткодействующего потенциала Электронный ресурс |
|
Аннотация | В рамках приближения огибающей функции рассчитаны волновые функции низколежащих 1s(A[1])-, 2s-, 2p[0]-, 2p[±]-, 3p[0]-состояний мелких донорных центров P, As, Sb в германии с учетом короткодействующего потенциала примеси. Последний построен индивидуально для каждой примеси с учетом пространственной дисперсии диэлектрической проницаемости и различия между ионными остовами германия и примесного центра. Уравнение для огибающей решалось с использованием вариационного метода Ритца, при этом выбранные пробные функции орбитально-невырожденных s-состояний характеризуются двумя пространственными масштабами: первый, порядка эффективного боровского радиуса донора, отвечающий дальнодействующей части потенциала, и второй, на порядок меньший, моделирующий отклик электрона на короткодействующую часть потенциала донора. Электронная плотность в основном состоянии доноров смещается к ядру, что обусловлено учетом притягивающего потенциала "центральной ячейки". Огибающие функции p-состояний в свою очередь построены так, что являются ортогональными огибающим в основном состоянии для каждого примесного центра, и в отличие от предыдущих работ различны для разных доноров. |
Ключевые слова | германий |
Название источника | Физика и техника полупроводников |
Место и дата издания | 2020 |
Прочая информация | Т. 54, вып. 9. - С. 938-944 |
Имя макрообъекта | Ревин_электронные |