| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676387343 |
| Дата корректировки | 13:30:26 7 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.09.49833.25 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Бекин, Н. А. | |
|
Многофононная релаксация состояний 1s(T[2]) однократно ионизованного донора селена в кремнии Электронный ресурс |
|
| Multiphonon relaxation of 1s(T[2]) states of a single ionized selenium donor in silicon | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Сделана оценка темпа многофононной релаксации уровня 1s(T[2]) в донорах Se{+} в кремнии. Расчет представляет собой начальный подход к проблеме, в котором используется максимально упрощенный вид волновых функций. Для вероятности перехода использовалось известное из литературы выражение Р. Песлера [R. Passler. Czech. J. Phys. B, 24, 322 (1974)], полученное в рамках так называемого статического приближения. Деформационные потенциалы оптических и акустических фононов были определены путем подгоночной процедуры с использованием опубликованных данных по спектру люминесценции доноров Se{+} на переходе 1s(T[2])?1s(A[1]) и принципа Франка-Кондона. Полученная оценка для темпа релаксации, 10{3} с{-1}, оказалась на 5 порядков меньше темпа, соответствующего экспериментально измеренному времени жизни. Причиной рассогласования с экспериментом является чрезмерно упрощенная модель, не учитывающая несколько факторов, главный из которых - наличие квазилокальных колебательных мод. Анализ спектра люминесценции на указанном переходе приводит к заключению, что энергии такого рода колебательных мод лежат в интервале от 26 до 61 мэВ. Для удовлетворительного согласия с экспериментом необходимо усложнить модель, учтя взаимодействие с этими модами. |
| Ключевые слова | многофононная релаксация |
|
электрон-фононное взаимодействие глубокие примеси доноры селена в кремнии принцип Франка-Кондона селен кремний фононы |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 9. - С. 922-928 |
|
| Имя макрообъекта | Бекин_многофононная |
| Тип документа | b |
