| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676134039 |
| Дата корректировки | 15:05:17 4 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.08.49643.9397 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Кузьминова, А. В. | |
|
Исследование радиационных эффектов в МОП-транзиcторе с p-каналом Электронный ресурс |
|
| Researct of radiation effects in MOS transistor witch p-channel | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Рассматривается воздействие гамма-излучения на образование поверхностных дефектов на границе раздела Si-SiO[2] в МОП-транзисторе с p-каналом в пассивном режиме. Наблюдалось несколько процессов поверхностного дефектообразования. Показана роль молекулярного водорода в подзатворном оксиде МОП-транзистора и "горячих" электронов, образующихся в приповерхностной области кремния. |
| Ключевые слова | МОП-транзисторы |
|
p-каналы гамма-излучения молекулярный водород радиационные эффекты |
|
|
Куликов, Н. А. Попов, В. Д. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 8. - С. 729-733 |
|
| Имя макрообъекта | Кузьминова_исследование |
| Тип документа | b |
