| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676129629 |
| Дата корректировки | 13:55:05 4 июня 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2020.08.49632.09 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Жукавин, Р. Х. | |
|
Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении одноосно-деформированного Si : Bi Электронный ресурс |
|
| Frequency tuning of terahertz stimulated emission from shallow donors in uniaxially stressed Si : Bi under intracenter optical excitation | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты экспериментальных и теоретических исследований перестройки спектра терагерцового стимулированного излучения с помощью одноосной деформации кристалла кремния, легированного мелкими донорами висмута в случае внутрицентрового оптического возбуждения. Экспериментально показана частотная перестройка двух линий излучения донора висмута в случае одноосной деформации вдоль кристаллографического направления [001]. Вычислены сечения усиления вынужденного комбинационного рассеяния света для одноосно-деформированного кремния, легированного висмутом. |
| Ключевые слова | кремний |
|
одноосная деформация инверсия терагерцовое стимулированное излучение вынужденное комбинационное рассеяние терагерцовая лазерная генерация одноосно-деформированный кремний висмут полупроводники |
|
|
Ковалевский, К. А. Павлов, С. Г. Debmann, N. Pohl, A. Цыпленков, В. В. Абросимов, Н. В. Riemann, H. Hubers, H.-W. Шастин, В. Н. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 54, вып. 8. - С. 816-821 |
| Имя макрообъекта | Жукавин_перестройка |
| Тип документа | b |
