| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676113565 |
| Дата корректировки | 9:28:05 4 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.07.49508.9387 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Стовпяга, Е. Ю. | |
|
Формирование наностержней GaN в монодисперсных сферических мезопористых частицах кремнезема Электронный ресурс |
|
| Formation of GaN nanorods in monodisperse spherical mesoporous silica particles | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 44 назв. |
| Аннотация | В монодисперсных сферических мезопористых частицах кремнезема (МСМЧК) посредством высокотемпературного отжига из прекурсора Ga2O3 синтезированы наностержни GaN диаметром от 15 до 40 нм и длиной от 50 до 150 нм. Разработана методика удаления темплата посредством травления частиц МСМЧК/GaN в HF, позволяющая получать индивидуальные наностержни GaN. Обнаружено, что размер наностержней GaN значительно превосходит размеры пор МСМЧК (диаметр ~ 3нм, длина ~ 10 нм). Предложен возможный механизм формирования наностержней GaN и перераспределения вещества внутри композитных частиц МСМЧК/GaN посредством поверхностной диффузии молекул газообразных продуктов реакций в порах и диффузии атомов Ga и N в аморфном кремнеземе. |
| Ключевые слова | мезопористый кремнезем |
|
наностержни темплатный синтез полупроводниковые наноматериалы нанокристаллиты нитрид галлия |
|
|
Курдюков, Д. А. Кириленко, Д. А. Голубев, В. Г. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 54, вып. 7. - С. 670-675 |
| Имя макрообъекта | Стовпяга_формирование |
| Тип документа | b |
