| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676046483 |
| Дата корректировки | 14:45:14 3 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.07.49507.9350 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Давыдов, С. Ю. | |
|
Гетероструктура 2D SiC/Si: электронные состояния и адсорбционная способность Электронный ресурс |
|
| Heterostructure 2D SiC/Si: electron states and adsorptive capability | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 29 назв. |
| Аннотация | Предложена модель гетероструктуры, представляющей собой монослой карбида кремния, сформированный на массивной кремниевой подложке. Рассмотрена задача об адсорбции атомов щелочных металлов и галогенов на атомах углерода и кремния поверхности гетероструктуры 2D SiC/Si. Приведены аналитические оценки перехода заряда и энергии адсорбции. |
| Ключевые слова | двумерные гексагональные слои |
|
полупроводниковые подложки плотность состояний адсорбция гетероструктуры карбит кремния кремниевые подложки двумерный карбид кремния (2D SiC) |
|
| Зубов, А. В. | |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 7. - С. 663-669 |
|
| Имя макрообъекта | Давыдов_гетероструктура |
| Тип документа | b |
